本報訊 （記者桂小筍）9月4日，在第十三屆半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料展上，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”）宣布重磅推出六款半導(dǎo)體設(shè)備新產(chǎn)品。這些設(shè)備覆蓋等離子體刻蝕（Etch）、原子層沉積（ALD）及外延（EPI）等關(guān)鍵工藝，不僅充分彰顯了中微公司在技術(shù)領(lǐng)域的硬核實力，更進(jìn)一步鞏固了其在高端半導(dǎo)體設(shè)備市場的領(lǐng)先地位，為加速向高端設(shè)備平臺化公司轉(zhuǎn)型注入強勁新動能。

    開幕式上，中微公司董事長兼總經(jīng)理尹志堯博士在主旨報告環(huán)節(jié)正式宣布六款新設(shè)備的發(fā)布，并深入闡述了新產(chǎn)品的先進(jìn)性能與獨特優(yōu)勢。中微公司始終以市場與客戶需求為導(dǎo)向，持續(xù)加大研發(fā)力度。目前，公司在研項目涵蓋六大類、超二十款新設(shè)備，研發(fā)速度實現(xiàn)跨越式提升：過去一款新設(shè)備的開發(fā)周期通常為3到5年，如今僅需2年甚至更短時間就能推出極具市場競爭力的產(chǎn)品并順利落地。在刻蝕技術(shù)方面，中微公司此次發(fā)布的兩款新品分別在極高深寬比刻蝕及金屬刻蝕領(lǐng)域為客戶提供了領(lǐng)先和高效的解決方案。

    此外，公司產(chǎn)品引入了多項創(chuàng)新技術(shù)，自主研發(fā)的動態(tài)邊緣阻抗調(diào)節(jié)系統(tǒng)通過調(diào)節(jié)晶圓邊緣等離子體殼層調(diào)節(jié)邊緣深孔刻蝕的垂直性，大大提高了晶圓邊緣的合格率。

（編輯 郭之宸）