本報訊 （記者孫文青）4月17日晚間，中微半導體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”）發(fā)布2024年年度報告。報告期內(nèi)，公司實現(xiàn)營業(yè)收入約90.65億元，同比增長約44.73%；歸屬于上市公司股東的扣非凈利潤約13.88億元，同比增長約16.51%，主營業(yè)務(wù)盈利能力持續(xù)提升。

    從營收構(gòu)成來看，刻蝕設(shè)備作為中微公司核心業(yè)務(wù)表現(xiàn)尤為亮眼，全年收入約72.77億元，同比增長約54.72%。

    近年來，隨著人工智能、云計算、大數(shù)據(jù)、自動駕駛等數(shù)碼技術(shù)相關(guān)的產(chǎn)業(yè)進一步加速發(fā)展，半導體微觀制造設(shè)備作為數(shù)碼產(chǎn)業(yè)的基石，市場高速發(fā)展。據(jù)國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）數(shù)據(jù)，2024年，全球半導體設(shè)備市場規(guī)模1171億美元，同比增長10.16%。其中，中國大陸半導體設(shè)備市場規(guī)模達到496億美元，同比增長35%，占全球市場比例達44%。

    財報顯示，2024年，中微公司研發(fā)投入達24.52億元，同比增長94.31%，占營業(yè)收入比例約27%。高強度的研發(fā)投入推動產(chǎn)品迭代速度顯著提升，據(jù)中微公司董事長、總經(jīng)理尹志堯透露，過去開發(fā)一款新設(shè)備需3年至5年，如今僅需2年甚至更短時間即可完成。

    目前，中微公司在研項目涵蓋六大類、超20款新設(shè)備，包括新一代CCP高能等離子體刻蝕設(shè)備、ICP低能等離子體刻蝕設(shè)備、晶圓邊緣刻蝕設(shè)備、LPCVD（低壓化學氣相沉積）及ALD（原子層沉積）薄膜設(shè)備、硅和鍺硅外延EPI設(shè)備、新一代等離子體源的PECVD設(shè)備和電子束量檢測設(shè)備等。

    在泛半導體領(lǐng)域，中微公司的MOCVD（金屬有機化學氣相沉積）設(shè)備持續(xù)領(lǐng)跑全球市場，占據(jù)氮化鎵基LED照明設(shè)備80%以上份額，并加速拓展碳化硅功率器件、Micro-LED等新興領(lǐng)域。

    同時，中微公司正通過投資和并購，推動公司更快發(fā)展。財報顯示，公司自上市以來已投資30多家產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)，實現(xiàn)了良好的經(jīng)濟效益和戰(zhàn)略協(xié)同效果。其中，公司參股投資的8家公司已經(jīng)完成A股掛牌上市。

（編輯 喬川川）