4月16日晚間，科創(chuàng)板明星企業(yè)中微公司披露2019年年度報告。報告期內(nèi)公司實現(xiàn)營業(yè)收入19.47億元，同比增長18.77%；實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤1.89億元，同比增長107.51%；同期研發(fā)投入合計4.25億元，占營業(yè)收入比重為21.81%。

    中微公司董事長尹志堯在年報開篇的致辭中介紹，2019年中微公司繼續(xù)瞄準世界科技前沿，在刻蝕設(shè)備和MOCVD設(shè)備的研發(fā)、技術(shù)的新應(yīng)用、市場布局的調(diào)整和拓展、新業(yè)務(wù)的探索和展開等許多方面取得了長足的進展。

    據(jù)了解，中微公司的等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用在國內(nèi)外知名廠商55納米到5納米的眾多芯片生產(chǎn)線上。特別是中微的電容性CCP等離子體刻蝕設(shè)備，已在國際領(lǐng)先的晶圓生產(chǎn)線核準5納米的若干關(guān)鍵步驟加工。

    目前，公司正在開發(fā)新一代的電容性等離子體刻蝕設(shè)備，可加工先進邏輯器件，包括大馬士革在內(nèi)的各種刻蝕應(yīng)用，能夠涵蓋5納米及更先進工藝刻蝕需求和更多關(guān)鍵應(yīng)用。公司的電容性等離子體介質(zhì)刻蝕設(shè)備已應(yīng)用于64層閃存器件的量產(chǎn)，正在開發(fā)新一代涵蓋128層和更先進關(guān)鍵刻蝕應(yīng)用的刻蝕設(shè)備和工藝。

    此外，中微公司的電感性ICP等離子刻蝕設(shè)備已經(jīng)在多個邏輯芯片和存儲芯片廠商的生產(chǎn)線上量產(chǎn)，正在進行下一代產(chǎn)品的研發(fā)，以滿足7納米以下的邏輯芯片、1X納米的DRAM芯片和128層以上的3DNAND芯片等產(chǎn)品的刻蝕需求。

    據(jù)悉，中微公司的MOCVD設(shè)備已在全球氮化鎵基LED設(shè)備市場中占據(jù)領(lǐng)先地位。公司研發(fā)的用于制造深紫外光LED的MOCVD設(shè)備已在行業(yè)領(lǐng)先客戶端驗證成功。用于MiniLED生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備的研發(fā)工作正在有序進行中。制造MicroLED、功率器件等需要的MOCVD設(shè)備也在開發(fā)中。

    同時，公司兼顧外延性發(fā)展，子公司中微匯鏈、中微惠創(chuàng)在新業(yè)務(wù)拓展領(lǐng)域取得了長足的進展。此外，公司也參股投資了一些具有協(xié)同效應(yīng)潛力的項目。

    談及行業(yè)趨勢，中微公司認為，目前國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場主要由歐美、日本等國家的企業(yè)所占據(jù)。近年來我國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)技術(shù)水平不斷提高，國產(chǎn)設(shè)備在產(chǎn)品性價比、售后服務(wù)、地緣等方面的優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)。作為全球最大的半導(dǎo)體消費市場，市場需求帶動全球產(chǎn)能中心逐步向中國內(nèi)地轉(zhuǎn)移，持續(xù)的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移帶動了內(nèi)地半導(dǎo)體市場規(guī)模和技術(shù)水平的提高，也為我國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的發(fā)展提供了機遇。

    展望未來，中微公司表示，公司目前開發(fā)的產(chǎn)品以集成電路前道生產(chǎn)的等離子體刻蝕設(shè)備、照明應(yīng)用的薄膜沉積設(shè)備等關(guān)鍵設(shè)備為主，并已逐步開發(fā)應(yīng)用于集成電路后道的先進封裝設(shè)備，以及MEMS、MiniLED等應(yīng)用領(lǐng)域的設(shè)備產(chǎn)品。未來，公司將通過投資、并購等外延式增長途徑擴大在集成電路領(lǐng)域及泛半導(dǎo)體領(lǐng)域的產(chǎn)品和市場覆蓋，并繼續(xù)探索核心技術(shù)在國計民生中創(chuàng)新性的應(yīng)用，不斷推動企業(yè)健康發(fā)展。