本報見習(xí)記者 李昱丞

    7月9日，英唐智控發(fā)布公告稱，與Hulu MT.PEAK LLC（Hulu半導(dǎo)體綜合投資公司，下稱“HuLu”）簽訂為期三年的合作協(xié)議，希望在中國境內(nèi)合作建設(shè)6英寸SiC器件生產(chǎn)線，并利用各自資源面向全球推廣合作產(chǎn)線的產(chǎn)品。

    根據(jù)公告，雙方合作方案由Hulu提供產(chǎn)線建設(shè)、產(chǎn)品需求及工藝方面的支持，英唐智控提供資金、市場、技術(shù)以及項目人才方面的支持。協(xié)議還明確提出了英唐智控對HuLu進行戰(zhàn)略投資的可能性，英唐智控將依托前期在模擬及功率器件的研發(fā)、制造產(chǎn)業(yè)布局，通過與Hulu的緊密合作，加速其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的產(chǎn)能規(guī)劃實現(xiàn)。

    據(jù)了解，SiC（碳化硅）是第三代半導(dǎo)體材料，擁有寬禁帶、高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子遷移率以及抗輻射等特性，更適合在高頻、高溫、高壓、高功率以及耐輻射的環(huán)境中工作。在功率等級相同的條件下，SiC器件體積更小，功率密度更高、設(shè)計更緊湊，能使電動車續(xù)航里程更長。受益于SiC功率器件在技術(shù)方面的逐漸成熟，智能化、電氣化趨勢持續(xù)演進，下游傳統(tǒng)汽車升級帶來龐大的功率半導(dǎo)體需求，SiC功率器件替代空間較為廣闊。

    據(jù)行業(yè)人士分析，英唐與Hulu的合作達成，正是英唐智控為加速其第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能布局做出的又一舉措。通過引進Hulu在產(chǎn)線建設(shè)、設(shè)備、工藝技術(shù)方面的優(yōu)質(zhì)資源，英唐智控有望進一步增厚其在人才、工藝及技術(shù)方面的儲備，有望促進打造自主可控的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈條。

（編輯 崔漫）